安森美采用T2PAK封装的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列，将公司业界领先的碳化硅技术与极具创新性的顶部冷却封装相结合。首批器件已向主要客户发货，安森美计划于2025年第四季度及之后推出更多产品。通过在EliteSiC系列全面采用T2PAK封装，安森美为汽车与工业客户提供了强有力的全新选择，满足其在严苛高压应用中对效率、紧凑性和耐用性的需求。
随着太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业电源等应用对功率需求的不断攀升，高效的热管理已成为关键的工程挑战。传统封装方式常迫使设计人员在散热效率与开关性能之间做出取舍。EliteSiC T2PAK解决方案通过将热量从印刷电路板（PCB）高效地直接传导至系统冷却架构，实现了性能与散热的双赢，从而带来以下优势：
卓越的热效率，降低工作温度
降低元器件应力，延长系统使用寿命
更高的功率密度，实现紧凑的系统设计
简化系统设计，加快产品上市速度
工作原理：
T2PAK 顶部冷却封装通过将MOSFET与散热片直接热耦合，在散热和开关性能之间实现了极佳平衡。该设计最大限度降低了结点至散热片的热阻，并支持多种导通电阻Rds(on) 选项（12mΩ - 60mΩ），从而提升设计灵活性。
关键技术亮点包括：
通过将热量直接传导至系统散热片，规避了PCB的散热限制，实现卓越的散热性能
保持低杂散电感，实现更快的开关速度并降低能耗
兼具TO-247和D2PAK封装优势，且无明显缺陷
凭借EliteSiC在T2PAK顶部冷却封装中卓越的性能指标，设计人员能够打造出更紧凑、散热性能更好、且更高效率的系统。