一、软件界面说明
红色框：（从左至右）
COM：485 串口通讯配置按钮。
配置芯片：为芯片提供基础参数配置。
数据分析：用于显示校准原始数据和校准系数 。
量程比修改：芯片支持大量程比修改。
出厂调零：芯片支持出厂调零。
校准电流表：用于板上电流表校准。
校准电压表（0~10V）：用于板上电压表校准。
寄存器表：用于读取芯片寄存器配置。
复测数字输出：点击该按钮，可采集数字输出数据。
版本信息：用于显示当前软件版本号和 MCU 版本号。
读 ID：用于读取当前芯片 ID 号，并显示在左侧的 ID 显示框中。
烧写 ID：用于给每个芯片烧写 ID 编号，编号采用自动加 1 的方式递增。
配置文件下拉框：在初始化芯片前，需手动选择配置芯片中命名的配置文件名称 。
初始化芯片：将配置芯片中的参数烧写入芯片，芯片掉电后数据不会丢失。
DAC 校准：用于芯片内部 DAC 校准。
校准：调用采集的原始数据计算出相应系数，并烧写入芯片，芯片掉电后数据不会丢失。
复测：用于测试校准后输出，输出数据将显示在复测按钮下面的显示框中。
【注：1、点击复测按钮后将进入输出采集模式，此时按钮上的“复测”字样将切换成 “停止”；点击该停止按钮后将退出采集模式。 2、软件上所有其他操作均建立在退出输出采集模式前提下实现。】
EE 锁定：用于芯片内部 EEPROM 加锁，防止数据被篡改。
EE 解锁：用于芯片内部 EEPROM 解锁，解锁后可重新校准修改数据。
禁止 OWI：用于禁用单线通讯功能。禁止 OWI 后将无法再建立通讯进行校准，请谨慎操作。
绿色框：用于显示各操作进度。
紫色框：框内黑色按钮为原始数据采集按钮，单击黑色按钮后，每个按钮的上方显示框中会显示两行数据（上面一行为压力原始数据，下面一行为温度数据），采集结束后黑色按钮将会亮起。
如下图所示：
【注：1、当再次点击已亮起的按钮时，该按钮将恢复黑色，同时之前采集的数据会被 清除。2、横轴代表不同的温度点，纵轴代表不同压力点对应的输出目标值。】
二、校准流程说明
以 0～5V 电压输出为例：1T3P 模式、内部温度传感器校准、板上电压表校准；
常温下采集零点、中间点、满度 3 个压力点，对应输出电压值为 0.5，2.5，4.5。硬件连接如下图：
请按照如下顺序操作：
2.1 COM
软件运行后，自动弹出系统配置 COM 界面：（本例中 COM 配置如下图）
说明：
VISA 资源名称：选择 USB 转 485 串口所在的 COM 口；
通讯方式：共 OWI，IIC，SPI 三种通讯方式； （除数字输出以外，均选择 OWI通讯方式）
输出方式：共 0～5V，0～10V，4～20mA，IIC，SPI，高压 0～5V 六种输出方式；
配置完成后，直接点击右上角 X 关闭 COM 界面，回到主界面。
若 COM 口中的配置正确，主界面上的串口指示灯会常亮，如上图红框所示；如果COM口配置不正确或者校准过程中 COM 口出错，此灯均会灭掉。
2.2 读 ID、写 ID
点击“读 ID”按钮，此时能听到校准板上继电器响声，若建立通讯成功，则下图 ID 显示框会显示当前芯片 ID（当前芯片 ID 为 7），且下图中红色提示框会显示通讯正常，并显示当前芯片所在的系列。
若通讯失败，会闪烁报警，此时需要检查系统连接；
如需要对产品烧写其他 ID 号，可点击烧写 ID，软件会根据当前软件安装目录中保存的ID 数据，自动加 1 后烧写到当前芯片中。
2.3 配置芯片
点击工具栏配置芯片按钮，弹出配置芯片窗口：（本例中相关配置如下图所示）
说明：
1、寄存器设置：此栏包括对芯片的部分寄存器配置(不同芯片系列，此界面出现的配置会有所差别)，各个寄存器具体含义如下:
JEFT_LVL: JFET Regulator 输出，共有 5V、3.3V 两个挡位可选。
VREF_LVL：参考电压输出，可为传感器提供恒压源供电，共有 2.5V、4V 两个挡位可选。
IEXC1：第一路恒流源，最大提供 750uA 电流。
IEXC2：第二路恒流源，最大提供 700uA 电流，可与 IEXC1 并联使用。
INPUT_SWAP：输入差分信号反向开关。
GAIN_P：压力通道运放放大倍数。
ODR_P：压力通道数据输出率，选择的 ODR_P 越小，采集的 AD Raw 值越稳定；客户可以根据变送器使用的环境选择是否打开陷波滤波器功能。
SYS_CHOP_EN：系统斩波器使能。使用该模式，等效到输入的零点漂移可以非常小，并且提高芯片对RFI/EMI 的抑制能力。
DAC_REF：芯片内部 DAC 参考电压（5V&3.3V&1.25V 均为绝对输出；VDD ratiometric 为比例输出）。
OUT_mode：包括 7 种输出方式：1、voltage mode with external feedback（外部反馈电压输出）；2、voltage mode with internal feedback（内部反馈电压输出）；
3、current loop（电流输出）；4、PDM；5、PWM；6、SENT；7、DAC_disable
EXT_TEMP：温度传感器选择（内部&外部：内部温度传感器在出厂时已校准）
GAIN_T：压力通道运放放大倍数（选择内部温度传感器时，GAIN_T=4 可读取当前所处环境温度值）。
ODR_T：温度通道数据输出率，选择的 ODR_T 越小，采集的 AD Raw 值越稳定；同时可以根据需要选择是否打开陷波滤波器功能。
Burnout_current：该配置使能后可以施加诊断电流。
fault_on：该配置使能后可以打开诊断功能。
fault_lvl：选择诊断异常触发后输出高电平或低电平。
低钳位(%)：输出最低电压与 DAC 参考电压的百分比；若不设置钳位则输入 0；
高钳位(%)：输出最高电压与 DAC 参考电压的百分比；若不设置钳位则输入 100；
2、校准设置栏：
校准模式：芯片支持多种校准模式；由于芯片最多支持二阶温度系数校准和三阶非
线性校准，所以最多可采集三个温度点，每个温度点下采集四个压力数据；同时芯片还支持分段校准，即在各温度区间内进行一阶温度系数补偿。
拟合误差：输入允许的误差；注意此误差只能代表拟合算法的误差，不能代表最后电压或电流输出值的误差；该值不可为 0。
校准算法选择：支持拟合&解方程两种算法校准。
目标值：填写在各个压力点下，对应的模拟电流 or 电压输出值；
温度：根据实际需要填写采集的温度点。
注：当选择解方程算法校准时，目标值和温度值必须从小到大填写。
3、右侧红色框内：
配置模板：将当前的各个配置，保存到配置文件中，文件名可任意修改；
保存：将当前各个配置保存到上一步配置模板的文件中；
加载：加载当前配置模板名称所对应文件的各个配置；
删除：删除当前配置模板名称所对应的配置文件；
配置完所有配置后点击保存后关闭该界面，回到主界面。
2.4 初始化芯片
Step1、在红色框内选择配置模板，选择上一步操作保存的配置文件名称“NSA2860”；
Step2、点击“初始化芯片”按钮，将配置写入芯片所对应的寄存器中；写入完成后，会自动烧写EEPROM，即使后续测试过程中掉电也无需重新初始化，读ID后即可继续测试。
初始化完成后，上图中蓝色框会显示：“初始化完成！可校准 DAC！”
若初始化中通讯失败，则会闪烁报警。
2.5 DAC 校准
初始化完成后，点击上图红框中 DAC 校准按钮；
0～5V 或 0～10V 输出模式，点击该按钮后无弹窗，DAC 会自动校准。
DAC 校准完成后，若校准正确系数无溢出，则下图红框显示“DAC 校准完成!可以采集原始数据！”
2.6 采集原始数据
Step1.改变压力环境到零点压力，点击目标值 1 对应的黑色按钮。
Step2.改变压力环境为中间压力，点击目标值 2 对应的黑色按钮。
Step3.改变压力环境为满度压力，点击目标值 3 对应的黑色按钮。
每个原始数据采集完成后，对应的黑色按钮都会被点亮，且在各个采集按钮的上方有两排数据：上排数据显示压力通道原始数据归一化值，下排数据在内部温度传感器模式时，显示实际温度值；在外部温度传感器模式时，显示温度通道原始数据归一化值，如下图：
2.7 计算校准系数
点击上图蓝色框中“校准”按钮，将弹出红色框中确认界面：若仍有数据未采集，请点击取消按钮，进入采集界面继续采集；若所有数据采集完成，点击确定即可，软件根据当前采集的原始数据，
计算各个校准系数；若校准成功，会将各个校准系数写入芯片并烧写EEPROM；烧写完成后会自动复位，读取烧写值是否与写入值保持一致；并在显示框中提示“校准完成，可进行复测!”。
如下图红框中所示：
若校准不成功，会闪烁提示校准错误。
2.8 EE 锁定、EE 解锁
芯片只有在通讯状态下才能执行锁定及解锁功能；若处于复测状态，先停止复测，点击读 ID 按钮进入通讯后再点击 EE 锁定或解锁功能；
2.9 禁止 OWI
芯片只有在通讯状态下才能禁止 OWI，若处于复测状态，先停止复测，点击读 ID 按钮进入通讯后再点击禁止 OWI 功能。
注：禁止 OWI 后将导致无法调试芯片，请谨慎操作。
三、Reference
[1] NSA2860单颗校准系统使用说明V1.3
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作者：Naib Zhou / 周甜甜
