采用1-gamma DRAM和先进封装技术，提供业界最快速效能
爱达荷州博伊西，2026 年 5 月 14 日 — 美光科技（Nasdaq: MU）今日宣布，已向主服务器生态系合作伙伴提供 256GB DDR5 具缓存器双列直插式内存模块（RDIMM）样品。该模块采用业界领先的 1-gamma 制程技术，最高速度可达每秒 9,200 百万次传输（MT/s），较目前量产中的模块快了40% 以上。
此款模块采用先进封装技术，结合 3D 堆栈（3DS）与硅穿孔（TSV）技术，将多颗内存晶粒整合于单一模块中。搭配美光 1-gamma DRAM，这些创新可提供支持下一世代 AI 系统所需的容量、速度与能源效率。一条 256GB 模块相较于两条 128GB 模块，可降低超过 40% 的运行功耗，进一步提升现代 AI 数据中心的整体效率。
生态系合作伙伴验证
美光正与多家关键生态系合作伙伴合作，针对 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 于现有与次世代服务器平台进行验证。此共同验证可确保其在各类平台上的广泛兼容性，并加速导入大量部署，协助数据中心客户建置 AI 与高效能运算（HPC）基础设施。
美光科技资深副总裁暨云端内存事业部总经理 Raj Narasimhan 表示，容量、带宽与功耗是决定 AI 效率的关键要素。透过我们的 256GB DDR5 RDIMM，美光正协助服务器实现显著的效能提升。此产品基于 1-gamma DRAM，并结合先进 3DS 与 TSV 封装技术，提供业界领先的速度与能源效率，帮助数据中心架构师能更有效率地扩展 AI 基础设施。
满足 AI 时代的内存需求
随着大型语言模型（LLM）、代理型 AI（agentic AI）、实时推论以及高核心数 CPU 工作负载快速发展，企业服务器对于更高内存容量、更大带宽与更佳能源效率的需求日益迫切。美光 256GB DDR5 RDIMM 正是针对这些需求设计，让服务器架构师、云端营运商与平台合作伙伴能在既有的散热与功耗限制下，最大化每个处理器插槽的内存容量。
样品与供应信息
美光采用 1-gamma 制程的 256GB DDR5 RDIMM 目前已提供给主服务器生态系合作伙伴进行平台验证。欲了解更多美光数据中心解决方案，请参阅官方网站Micron data center memory webpage。
关于 Micron Technology, Inc.
我们是创新型存储器和存储解决方案的行业领导者，致力于改变世界使用信息的方式，丰富每个人的生活。美光始终专注于用户需求、技术领先、卓越的制造与运营，提供高性能 DRAM、NAND 和 NOR 存储器及存储产品的完整组合。每天，我们员工的创新推动着数据经济的发展，促进人工智能（AI）和计算密集型应用的进步，并激发从数据中心、智能边缘到终端和移动设备的多元机会与用户体验。如需进一步了解 Micron Technology, Inc.，请访问tw.micron.com。
© 2026 美光科技有限公司。版权所有。如有信息、产品及/或规格变更，恕不另行通知。美光、美光标志及所有其他美光商标均为美光科技有限公司所有。所有其他商标均归各自所有者所有。