1200 V MOSFET 功率模組
薄型器件適於中高頻應用，節省空間，同時降低寄生電感，實現更潔淨的開關特性
Vishay 推出兩種新型 1200 V MOSFET 功率模組，提高汽車、能源、工業和通信系統中高頻應用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 分別有四顆和六顆 MOSFET 的模組，採用薄型 MAACPAK PressFit 封裝，是先進的碳化矽（SiC）技術和堅固的傳遞模塑結構的理想組合。
圖片出處網址:威世科技https://mp.weixin.qq.com/s/OU7v0W-Zm8AbXw7rYuYcOg
日前發佈的功率模組集成 Vishay 新一代 SiC MOSFET 與用於溫度感測的負溫度係數（NTC）熱敏電阻，以及具有低反向恢復時間的快速本征 SiC 二極體，從而降低開關損耗，提高效率，適用於光伏逆變器、電動（EV）和混合電動（HEV）汽車充電器、電機驅動器、焊機、DC/DC 轉換器、UPS、暖通空調（HVAC）系統、大型電池儲能系統、通信電源等。
為提高可靠性，VS-MPY038P120 和 VS-MPX075P120 採用堅固的傳遞模塑工藝技術，產品生命週期遠超市場上現有的傳統解決方案，
同時增強熱阻性能。此外，器件高度低，有助於降低寄生電感和電磁干擾（EMI），節省空間，實現更高效、更乾淨的開關特性。模組 PressFit 引腳矩陣排列符合行業標準佈局，便於輕鬆替換現有設計中的競品解決方案，提高性能。
VS-MPY038P120 採用全橋逆變器拓撲結構，導通電阻低至 38 mΩ，+ 80 °C 下連續漏極電流為 35 A, 而 VS-MPX075P120 則採用三相逆變器拓撲結構，導通電阻為 75 mΩ，連續漏極電流為 18 A。兩種器件都具有低容值高速開關功能，最高工作結溫達 + 175 °C。功率模組符合 RoHS 標準，無鹵素。